武漢新芯將併入紫光集團旗下，掌權之爭由趙偉國出線
先前科技新報獨家揭露，統籌中國記憶體產業發展的武漢新芯將與紫光集團攜手合作，並有望獲得美光在 NAND Flash 的協助，現在事情再有新進展，根據調研機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 說法，紫光將於武漢成立新企業，未來武漢新芯將併入旗下，據科技新報取得的消息，最終由紫光集團董事長趙偉國將出線掌舵新事業。朝 NAND Flash 發展前進
調研機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 今 27 日發布消息指出，紫光集團預計於武漢成立長江存儲科技，未來將併入武漢新芯並統籌集團下一切記憶體發展項目，目前整體規劃朝向 NAND Flash 產業發展。
DRAMeXchange 認為，紫光集團與武漢新芯目前將著力於 NAND Flash 發展，除了因 NAND Flash 後市可期， 武漢新芯原為 NOR Flash 大廠，在生產經驗、廠房與產能建置等基礎建設本就有所擅長。
DRAMeXchange 協理楊文得進一步分析，紫光集團則在資金募集及策略併購等均有過人之處，透過兩強攜手整合資源，能使中國記憶體產業投資的整體資源配置更加集中，並在整合上產生更多綜效，對內得以於未來中國記憶體產業的發展中瞄準較佳的地位，對外則能提升產業上談判的籌碼，有助於中國建立產業自主性。
根據科技新報先前取得的消息，紫光集團董事長趙偉國、大基金總經理丁文武可能在這之中扮演重要角色，新芯董事長楊士寧等則可能有異動，而目前最新消息，趙偉國確將擔任董事長執掌合體之後的新事業。
飛索半導體之後再攜美光？
武漢新芯在 3 月底於武漢東湖高新區所擘劃的記憶體基地才舉行動土典禮，規劃用於生產 3D-NAND Flash，預計 2018 年建設完成，官方預估，屆時與飛索半導體（Spansion，現已併入 Cypress）合作開發的 3D-NAND Flash 將能達到 32 層堆疊，初期月產能約 20 萬片，武漢新芯目標到 2020 年基地總產能達 30 萬片/月、2030 年來到 100 萬片/月。
楊文得表示，3D-NAND Flash 的廠房新建等投資遠高於 2D-NAND Flash 數倍，紫光/武漢新芯方若能循華亞科模式取得美光技術授權，則能以較低的財務負擔來獲取長期新產能的布建，更有機會在市占率拉近與三星和東芝/威騰（WD）陣營的距離。
3D-NAND Flash 現擴產潮
目前各家大廠在 3D-NAND Flash 產能的布建，三星在西安廠的投資外，韓國平澤廠區也規劃加大 3D-NAND Flash 產能，東芝與威騰（WD）旗下 SanDisk 日本 Fab2 廠在日前開幕，新廠也可望自 2018 下半年投產，海力士則除現階段 M11 與 M12 廠外，M14 廠第二階段 3D-NAND 的生產也將從明年第一季後開始進行。英特爾美光陣營在今年 3 月擴建新加坡 Fab10X 外，英特爾大連廠轉型生產 3D-NAND Flash 晶片也在這個月 25 日正式投產。
DRAMeXchange 預估，2011~2016 年 NAND Flash 位元需求量的年複合成長率高達 47%，在 SSD 需求高度成長的帶動下，NAND Flash 未來 10 年可望皆維持強勁成長態勢。
科技新報
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