長江存儲推出128層3D NAND
長江存儲科技有限責任公司4月13日宣布，其128層QLC 3D NAND 閃存（型號： X2-6070）研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。
為滿足不同場景的需求，此次同時發布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片（型號：X2-9060）。
據了解，在長江存儲128層系列產品中，Xtacking架構已全面升級至2.0。因而，在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps的數據傳輸速率。
存儲方面，資料顯示，每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元 ，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數據，共提供1.33Tb的存儲容量，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。
長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊指出，長江存儲128層QLC 版本將率先應用於消費級SSD，並逐步進入企業級服務器、數據中心等領域，以滿足未來5G、AI時代多元化數據存儲需求。
閃存和SSD領域知名市場研究公司Forward Insights創始人兼首席分析師Gregory Wong指出，隨著主流消費類SSD容量邁入512GB及以上，QLC SSD未來市場增量將非常可觀。
“與傳統HDD相比，QLC SSD更具性能優勢。在企業級領域， QLC SSD將為服務器和數據中心帶來更低的讀延遲，使其更適用於AI計算，機器學習，實時分析和大數據中的讀取密集型應用。在消費類領域，QLC將率先在大容量U盤，閃存卡和SSD中普及。”Gregory Wong表示。
2019年9月2日，長江存儲宣布，其已開始量產基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，其中每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求，這也是中國首款64層3D NAND閃存。
21財經
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