標題: 台積電微細化投資90億美元，建五條28～16nm生產線 [打印本頁]
【日經BP社報導】在2013年2月6日舉辦的「全球半導體論壇＠東京2013」（主辦：《日經電子》）上登臺演講的台積電日本公司代表董事小野寺誠介紹了台積電（TSMC）2013年的微細化投資計劃。台積電2013年的設備投資額計劃為90億美元，比上年增加約10％，該公司打算將其中的大部分用於組建後28nm製程生產線，目前正在同時建設五條生產線。
小野寺表示，台積電「將在2013年建成兩個比較大的平台」。一個是「20SOC」，為採用後柵極方式高介電率（high-k）柵極絕緣膜和金屬柵極的20nm製程技術；另一個是「16FF」，為採用FinFET的16nm製程技術。20nm製程將把28nm製程中分開的四個工藝技術整合成一個工藝。具體時間為，20nm製程技術將在2013年1～3月開始風險量產，16nm製程技術將提前至2013年10～12月開始風險量產。10nm製程技術計劃在2015年10～12月開始風險量產。對於最近一個季度在銷售額中所佔比例提高至22％的28nm製程，今後將進一步擴大其產能。
台積電將按照上述計劃，陸續在「Fab12（新竹）」、「Fab14（台南）」以及「Fab15（台中）」三個300mm晶圓工廠建立尖端工藝生產線。Fab12已經啟動了量產28nm製程的「Phase5」，正在組建量產20nm製程和16nm製程的「Phase6」，此外，還計劃組建量產16nm製程和10nm製程的「Phase7」。
Fab14啟動了量產40nm製程的「Phase4」，正在組建跳過28nm製程量產20nm製程的「Phase5」及「Phase6」，面向20nm製程的「Phase7」也在計劃之中。Fab15啟動了量產28nm製程的「Phase2」，正為了擴大28nm製程產能而組建「Phase3」和「Phase4」。
台積電目前約有4000名員工在開發尖端工藝技術。小野寺表示，「其中多數人都在從事20～10nm製程及其以後的工藝技術開發」。（記者：大下 淳一，《日經電子》）
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