標題: 我國首批３２層三維ＮＡＮＤ閃存芯片年內將量產 [打印本頁]
新華社武漢４月１１日電（記者陳俊）位於武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產機台１１日正式進場安裝，這標誌著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，我國首批擁有完全自主知識產權的３２層三維ＮＡＮＤ閃存芯片將於年內量產，從而填補我國主流存儲器領域空白。
目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基地於２０１７年成功研發我國首顆３２層三維ＮＡＮＤ閃存芯片。這顆耗資１０億美元、由１０００人的團隊歷時２年自主研發的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進入全球存儲芯片第一梯隊，有力提升“中國芯”在國際市場的地位。
據介紹，國家存儲器基地項目２０１６年由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設，總投資２４０億美元，項目一期總產能將達到３０萬片／月，年產值將超過１００億美元。
紫光集團董事長趙偉國表示，今年１０月設備將點亮投產，預計２０１９年底６４層閃存產品將實現爬坡量產。未來十年，紫光集團計劃至少還將投資１０００億美元，相當於平均每年投入１００億美元，進一步拉近我國在高端芯片領域與先進國家的距離。
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