IGBT國產化新布局：賽晶項目基地落戶浙江嘉興

morris_2007

IGBT（絕緣柵型雙極型晶體管）國產化再迎新布局。

近日，由賽晶電力電子（0580.HK）子公司賽晶亞太半導體主導的IGBT功率半導體項目正式落地浙江嘉興，並舉行生產基地開工儀式。

據了解，賽晶IGBT生產基地位於嘉善經濟技術開發區，生產線建設分兩期執行。本次動工的一期項目占地34畝，規劃建設2條IGBT芯片背面工藝生產線、5條IGBT模塊封裝測試生產線，建成後年產能達200萬件IGBT模塊產品。

對於具體的項目建設規劃，賽晶方面向《華夏時報》記者表示，預計2020年底前廠房建設完成，2021年一季度第一條生產線試生產、第二條生產線投資啟動，預計未來3至5年完成全部生產線建設。

“IGBT是目前應用技術最先進、應用最廣泛的功率半導體器件，是眾多國家重點發展的新興技術領域的關鍵性基礎元器件。賽晶作為國產技術研發和創新的先鋒，我們的目標是打造出具備國際一流水平的國產IGBT。”賽晶集團董事長項頡稱。

國產化之路待解

IGBT即絕緣柵型雙極型晶體管，主要作用是進行交流電和直流電的轉換、電壓高低的轉換，其作用類似於電腦的CPU。

在工業應用上，IGBT是光伏逆變器和風力發電逆變器的核心器件，也是新能源汽車電機控制器、充電樁等設備的核心元器件。隨著新能源發電行業的迅速發展，IGBT正逐步發展為中高端功率半導體器件的主流應用形態。

以純電動新能源汽車的成本結構為例，動力電池以42%的占比位居第一，緊隨其後的是電控系統，占比11%。而在電控系統中，IGBT成本占比達41%，是電控系統中最重要的構成器件。

作為電控核心部件，由於制造難度大，具有極高的技術壁壘，IGBT一直以來主要被歐美日企壟斷。據中信證券研究部在2020年2月發布的研報顯示，我國IGBT產品對外依賴度接近90%。

從全產業鏈來看，IGBT的前期資本開支大，中期制造良品率決定盈利能力，後端市場開拓也需要培育，國產替代過程仍然面臨重重考驗。

即便如此，在產業政策和市場需求的驅動下，IGBT國產化之路也在向前推進。國內廠商比亞迪（1211.HK）、中車時代電氣（3898.HK）選擇縱向一體化布局，而華虹半導體（1347.HK）、上海先進等專注晶圓制造，斯達半導（603290.SH）、宏微科技也在近年加注布局設計與封裝環節。

四年目標2億美元

西部證券研究所發布的研報援引IHS Markit的數據認為，2018年全球IGBT市場規模為62.4億美元，中國市場規模為19.23億美元，占全球市場規模比例達到30.82%。而隨著中國在新能源領域持續大規模地投入，中國IGBT市場增速將快於全球，占比也將進一步提升。

在此背景下，賽晶電力電子自2016年起開始進行IGBT相關的研發性工作，並在2018年進入電動汽車用數字式IGBT驅動的領域。

在2019年3月的業績交流會上，賽晶集團董事長項頡表示，集團的IGBT業務未來有三大財務目標：2020年實現年銷售收入超過500萬美元；2021年年銷售3000萬美元，達到盈虧平衡；2023年年銷售收入超2億美元，成為世界主流供應商之一。

項頡稱，賽晶的優勢來自於以前行業的生產廠家不多、真正掌握核心技術的也不多，而賽晶的研發團隊實力過硬；且賽晶此前深耕半導體行業，所以非常了解客戶的需求，並能做出快速反應。

據年報顯示，賽晶在2019年啟動了IGBT的自主研發項目，既有國內技術團隊，也包括了來自歐洲知名企業的海外研發團隊。因此，賽晶的研發支出也在2019年水漲船高，較前一年增加15%至6200萬元，佔當期凈利潤的4%。

賽晶表示，將全力推進IGBT項目的實施，盡快完成打造自主技術高端IGBT產品的戰略目標，並使之成為公司長期發展的新動能。

華夏時報