「寶馬、空客都在用」，Everspin副總裁談磁記憶體MRAM

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【日經BP社報導】美國Everspin Technologies公司已經開始限量樣品供貨新型非揮發性記憶體產品——自旋注入式磁化反轉（STT：spin transfer torque）方式的磁記憶體（MRAM）。磁記憶體具備非揮發性的特點，斷電後數據也不會消失，而且還兼具牢固、高可靠性、高速、低功耗這些特點，適用於工業、航空、汽車等領域。Everspin從2008年左右開始量產供應MRAM，此次推出的是採用新工作方式的新產品——STT-MRAM。不久前，Everspin的全球銷售副總裁Scott Sewell就開發的目的等接受了記者採訪。（採訪人：大石基之，《日經製造》）

            

圖1：接受採訪的Everspin Technologies全球銷售副總裁Scott Sewell。（點擊放大）

圖2：Evesrpin的MRAM供貨量變化（點擊放大）

圖3：Toggle-MRAM與STT-MRAM工作方式的差別（點擊放大）

問：請問截至目前，磁記憶體MRAM的供應情況如何？

Sewell：自從我們2008年開始量產供應MRAM以來，客戶採用的進程不斷加快。迄今已累計供應了700萬個以上，擁有客戶500多家。使用MRAM的應用多達100件以上。截至2013年第四季度，累計銷量預計可達1300萬個左右。
問：具體有哪些客戶？

Sewell：首先，追求高可靠性的客戶很多。例如，寶馬採用MRAM作為超級摩托車引擎控製模塊的非揮發性記憶體。其目的是通過使用非揮發性MRAM，在-40～+125℃的大溫度範圍內，做到即使突然斷電，各種數據也不遺失。空客也是我們的客戶之一，「A350」的飛行控制電腦中採用MRAM作為儲存控制程式和數據的記憶體。其目的是通過使用MRAM替代過去的SRAM，防止飛行中由中字射線引發的軟錯誤造成數據損壞。

問：Everspin過去一直生產並供應利用磁場改寫數據的Toggle方式MRAM（Toggle-MRAM）。而此次開始供應樣品的是不利用磁場改寫數據，通過直接向磁性元件通入電流進行改寫的STT方式MRAM（STT-MRAM）。在今後，二者將如何共存？

Sewell：STT-MRAM具有製造技術比較容易實現微細化、易於實現大容量化的優點，容量可以增加到Gbit等級。我們此次開始供應的是64Mbit的樣品，今後，64Mbit以上的容量範圍將採用STT-MRAM。而對於過去曾取得豐富供應業績的Toggle-MRAM，將繼續供應容量小於64Mbit的產品。因為雖然Toggle-MRAM的製造技術難以實現微細化，但具有可靠性極高的優點。對於不需要太大容量的工業設備，選用Toggle-MRAM更為合適。

問：請介紹一下STT-MRAM今後的大容量化計劃。

Sewell：這次開始供應的STT-MRAM樣品容量為64Mbit，採用90nm製程技術製造。我們認為，STT-MRAM可以縮小到以20nm以後工藝製造。首先，我們將在今後1～2年內開始量產使用40nm製程技術製造的256Mbit產品。接著，在今後的2～4年內開始量產28nm製程的1Gbit產品。（記者：大石基之，《日經製造》）


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