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中國首次實現碳化矽大功率器件量產 破西方壟斷

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發表於 2014-1-21 15:28:00 |只看該作者 |倒序瀏覽
中國首次實現碳化矽大功率器件量產 破西方壟斷.jpg
碳化矽的應用領域極為廣泛(資料圖片)


中國首次實現碳化矽(俗稱金剛砂)大功率器件的批量生產,在以美、歐、日為主導的半導體領域形成突破。業內專家指出,這一突破有望緩解中國的能源危機。

泰科天潤半導體科技(北京)有限公司G2S06010碳化矽肖特基二極管產品鑒定會暨新產品信息發布會20日在北京舉行。鑒定委員會認為該公司的量產工藝方法、產品性能達到了國際同類產品的先進水平。

據悉,經過兩年攻關,泰科天潤研發的碳化矽肖特基二極管多個產品已成功量產,產品涵蓋600V—3300V等中高壓範圍。其中,600V/10A、1200V/20A等產品成品率達到國際先進水平。

總經理陳彤介紹,利用碳化矽單晶襯底和外延材料制作的電力電子器件可以在高電壓、大電流、高頻率環境下工作,“與傳統的矽器件相比,碳化矽電力芯片能夠大幅度減少電力設備體積和重量,能大幅降低各項設備系統的整體成本並提高系統的可靠性”。

數據表明,屬於“寬禁帶”的第三代半導體的碳化矽,大功率在降低自身功耗的同時,提高系統其他部件的功效,可節能20%至90%。

中國電器工業協會電力電子分會常務副理事長肖向鋒指出,這一成果對於煤炭、石油等資源越發緊缺的中國具有現實意義。

“為應對能源危機,國家提出節能減排,電能的輸送、分配都離不開電力電子技術”,肖向鋒解釋說,現有的電子技術基於半導體矽材料器件,但受制於矽材料的物理性能,器件功耗大。碳化矽器件的研發、生產無疑可解“燃眉之急”。

“我國功率器件產業整體落後美、歐、日等發達國家,關鍵技術裝備基本依賴國外”,陳彤在受訪時說,但在第三代半導體器件方面,國內研究機構和企業已有趕超之勢。

他認為這得益於政府導向,國家863計劃新材料技術領域以及科技支撐計劃能源領域在2014年度備選項目征集指南中指明,要開展第三代半導體材料的關鍵技術、器件制備及研制電力電子芯片和器件等科研計劃。他們的“碳化矽電力電子器件產業化投資項目”也已被北京市海澱區向市科委推薦,申報“重大科技成果轉化落地培育”專項資金。

肖向鋒亦提出三點要求,“提高自己團隊的技術水平,提高研發能力,健全生產線”。他希望以此為契機,將預計達千億元規模的中國碳化矽器件產業做起來。

中國新聞網
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