中芯國際首款N+1工藝芯片迎突破

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被外界稱為對標台積電7nm工藝的中芯國際N+1工藝近期再獲新突破。據IT之家10月11日報道，我國一站式IP定制芯片企業芯動科技（INNOSILICON）發布消息稱，該公司已完成全球首個基於中芯國際FinFET N+1先進工藝的流片和測試，所有IP全自主國產，且功能測試一次通過。

所謂完成芯片流片，也就意味著該制程工藝已經具備有意義的“良品率”，並且可以嘗試進行批量生產。截至發稿，中芯國際港股漲超10%，成交額超9億港元。

此次成功流片是芯動科技與中芯國際“強強合作”，突破N+1工藝瓶頸的成果。自2019年開始，芯動科技就在中芯國際N+1工藝尚待成熟的情況下，投入數千萬進行優化設計，並投入技術團隊全程攻堅克難，成功助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸。

在今年3月底，中芯國際也表示，先進工藝正是中芯國際今年發展的重點，接下來該公司會轉向下一代工藝——N+1及N+2代FinFET工藝的研發。

N+1工藝是中芯國際再第一代先進工藝14nm量產後，第二代先進工藝的代號。據透露，與14nm相比，N+1工藝有了更大的突破——性能提升20%、功耗降低57%以及邏輯面積縮小63%等；而在N＋1之後，中芯國際還將著手研發性能更高的N+2。

總的來說，此次全球第一款基於中芯國際N+1工藝芯片流片成功，為實現大規模量產邁出了堅實一步，也為國產芯片的發展增添了力度。

新浪財經